I. A. Yugova: шукати на сайті Z-Library

physica status solidi (a)

Рік:

2020

Мова:

english

Файл:

PDF, 650 KB

english, 2020

Spin Quantum Beats in the Stokes Shifted Photoluminescence of InP Quantum Dots

I.A. Yugova, V.G. Davydov, I.Ya. Gerlovin, I.V. Ignatiev, I.E. Kozin, M. Sugisaki, Y. Masumoto

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 71 KB

english, 2002

Antiphase boundaries in GaAs layers on Si and Ge

V.I. Vdovin, M.G. Mil'vidskii, T.G. Yugova

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.02 MB

english, 1993

Effect of alloy composition on defect formation in GexSi1−x/Si heterostructures obtained by molecular beam epitaxy

V.I. Vdovin, M.G. Mil'vidskii, T.G. Yugova, K.L. Lyutovich, S.M. Saidov

Журнал:

Journal of Crystal Growth

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.41 MB

english, 1994

Misfit dislocation nucleation and multiplication in fully strained SiGe/Si heterostructures under thermal annealing

M. Rzaev, F. Schäffler, V. Vdovin, T. Yugova

Журнал:

Materials Science in Semiconductor Processing

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 327 KB

english, 2005

The influence of sapphire substrate orientation on crystalline quality of GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy

Anatolij Govorkov, Alexsandr Donskov, Lev Diakonov, Yulia Kozlova, Sergej Malahov, Alexsandr Markov, Mikhail Mezhennyi, Vladimir Pavlov, Alexsandr Polykov, Tatiana Yugova

Журнал:

Physica B: Condensed Matter

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 311 KB

english, 2009

Deep centers in bulk AlN and their relation to low-angle dislocation boundaries

A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, T.G. Yugova, K.D. Scherbatchev, O.A. Avdeev, T.Yu. Chemekova, E.N. Mokhov, S.S. Nagalyuk, H. Helava, Yu.N. Makarov

Журнал:

Physica B: Condensed Matter

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 252 KB

english, 2009

Quantum beats in semiconductor quantum dots

Yasuaki Masumoto, Ivan V. Ignatiev, Kazuhiro Nishibayashi, Tsuyoshi Okuno, Sergey Yu. Verbin, Irina A. Yugova

Журнал:

Journal of Luminescence

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 328 KB

english, 2004

Experimental demonstration of coherent coupling of two quantum dots

Gerhard Ortner, I. Yugova, A. Larionov, G. Baldassarri H.v.H., M. Bayer, P. Hawrylak, S. Fafard, Z. Wasilewski

Журнал:

Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 231 KB

english, 2005

Optical generation of spin coherence in single-charged (In,Ga)As/GaAs self-assembled quantum dots

A. Greilich, R. Oulton, E.A. Zhukov, I.A. Yugova, D.R. Yakovlev, M. Bayer, A. Shabaev, Al.L. Efros, V. Stavarache, D. Reuter, A. Wieck

Журнал:

Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 254 KB

english, 2006

Dislocation pattern formation in epitaxial structures based on SiGe alloys

T.G Yugova, V.I Vdovin, M.G Mil’vidskii, L.K Orlov, V.A Tolomasov, A.V Potapov, N.V Abrosimov

Журнал:

Thin Solid Films

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 257 KB

english, 1998

Low-temperature strain relaxation in ion-irradiated pseudomorphic SiGe/Si structures

V.S Avrutin, N.F Izyumskaya, A.F Vyatkin, V.I Zinenko, Yu.A Agafonov, D.V Irzhak, D.V Roshchupkin, E.A Steinman, V.I Vdovin, T.G Yugova

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 134 KB

english, 2002

Structural defects and dislocation-related photoluminescence in erbium-implanted silicon

N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, E.I. Shek, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov, Yu.A. Nikolaev, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, M.I. Makovijchuk, E.O. Parshin, S. Pizzini

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 128 KB

english, 2002

Low-temperature strain relaxation in SiGe/Si heterostructures implanted with Ge+ ions

V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya, A.F. Vyatkin, V.I. Zinenko, Yu.A. Agafonov, D.V. Irzhak, D.V. Roshchupkin, E.A. Steinman, V.I. Vdovin, T.G. Yugova

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 287 KB

english, 2003

Spin quantum beats in charged and neutral InP quantum dots

I.V. Ignatiev, T. Okuno, S.Yu. Verbin, I.A. Yugova, Y. Masumoto

Журнал:

Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 85 KB

english, 2003

Effect of various factors upon the stoichiometry of GaAs homoepitaxial layers grown by LPE

A. V. Govorkov, A. G. Novikov, M. G. Milvidskii, A. A. Shlenskii, V. G. Fomin, T. G. Yugova

Журнал:

physica status solidi (a)

Рік:

1994

Мова:

english

Файл:

PDF, 715 KB

english, 1994

Optical control of electron spin dynamics in self-assembled (In,Ga)As/GaAs quantum dots

A. Greilich, R. Oulton, E. A. Zhukov, I. A. Yugova, D. R. Yakovlev, M. Bayer, A. Shabaev, Al. L. Efros, V. Stavarache, D. Reuter, A. Wieck

Журнал:

physica status solidi (b)

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 265 KB

english, 2006

Spin relaxation in InP quantum dots

Y. Masumoto, I. Gerlovin, M. Ikezawa, I. Ignatiev, T. Okuno, S. Verbin, I. Yugova

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 111 KB

english, 2003

Thermally induced strain relaxation in SiGe/Si heterostructures with low-temperature buffer layers

V. I. Vdovin, T. G. Yugova, M. M. Rzaev, F. Schäffler, M.G. Mil'vidskii

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 307 KB

english, 2005

Electron spin coherence in singly charged (In,Ga)As/GaAs quantum dots

A. Greilich, R. Oulton, E. A. Zhukov, I. A. Yugova, D. R. Yakovlev, M. Bayer, A. Shabaev, Al. L. Efros, I. A. Merkulov, V. Stavarache, D. Reuter, A. Wieck

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 206 KB

english, 2006

A way to a single frequency precession of an inhomogeneous ensemble of electron spins in InGaAs quantum dots

A. Greilich, S. Spatzek, Al. L. Efros, I.A. Yugova, D.R. Yakovlev, D. Reuter, A.D. Wieck, M. Bayer

Журнал:

M. V. Mezhennyi, M. G. Mil’vidskii, T. G. Yugova

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 243 KB

english, 2009

Dislocation-related luminescence in Er-implanted silicon

N.A. Sobolev, O.B. Gusev, E.I. Shek, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, A.M. Emel'yanov

Журнал:

Journal of Luminescence

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 191 KB

english, 1998

Influence of intrinsic point defects on the formation of structural defects and optically active centers during the annealing of erbium-and dysprosium-implanted silicon

N. A. Sobolev, E. I. Shek, A. M. Emel’yanov, V. I. Vdovin, T. G. Yugova

Журнал:

Semiconductors

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 57 KB

english, 1999

Effect of the composition of the solid solution on the high-temperature microhardness of SiGe heteroepitaxial layers grown on Ge and Si substrates

Журнал:

Physics of the Solid State

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 246 KB

english, 2003

Low-temperature relaxation of elastic stresses in SiGe/Si heterostructures irradiated with Ge+ions

V. S. Avrutin, Yu. A. Agafonov, A. F. Vyatkin, V. I. Zinenko, N. F. Izyumskaya, D. V. Irzhak, D. V. Roshchupkin, É. A. Steinman, V. I. Vdovin, T. G. Yugova

Журнал:

Semiconductors

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 172 KB

english, 2004

Defect formation in Ge1−xSix/Ge(111) epitaxial heterostructures

T. G. Yugova, M. G. Mil’vidskii, V. I. Vdovin

Журнал:

Physics of the Solid State

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 408 KB

english, 2004

Effect of the sign of misfit strain on the formation of a dislocation structure in SiGe epitaxial layers grown on Si and Ge substrates

V. I. Vdovin, M. G. Mil’vidskii, T. G. Yugova

Журнал:

T. G. Yugova, M. G. Mil’vidskii, M. M. Rzaev, F. Schäffler

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 63 KB

english, 2005

Thermally stimulated relaxation of misfit strains in Si1−xGex/Si(100) heterostructures with different buffer layers

Журнал:

Yu. N. Parkhomenko, A. A. Shlenskii, V. F. Pavlov, G. V. Shepekina, T. G. Yugova

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 81 KB

english, 2005

X-ray diffraction determination of the composition of InxGa1 −xSb solid solution

Журнал:

Inorganic Materials

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 152 KB

english, 2010

Quantum beats of fine-structure states in InP quantum dots

I. Ya. Gerlovin, I. V. Ignatĭev, I. A. Yugova, Y. Masumoto

Журнал:

Optics and Spectroscopy

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 332 KB

english, 2008

Identification of dislocations and their influence on the recombination of charge carriers in gallium nitride

A. V. Govorkov, A. Ya. Polyakov, T. G. Yugova, N. B. Smirnov, E. A. Petrova, M. V. Mezhennyi, A. V. Markov, I. -H. Lee, S. J. Pearton

Журнал:

Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 329 KB

english, 2007

Effect of sapphire substrate orientation on the surface morphology and structural quality of thick GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy

A. A. Donskov, L. I. Dyakonov, Yu. P. Kozlova, S. S. Malakhov, M. V. Mezhennyi, V. F. Pavlov, T. G. Yugova

Журнал:

Saulute Budriene, Natalija Gorochovceva, Tatjana Romaskevic, Lyubov V. Yugova, Aldona Miezeliene, Gervydas Dienys, Asta Zubriene

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.64 MB

english, 2011

β-Galactosidase fromPenicillium canescens. Properties and immobilization

Журнал:

Central European Journal of Chemistry

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 340 KB

english, 2005

Investigation of the formation of transition layers during LPE growth of GaAs

A. S. Bruk, Dr. A. V. Govorkov, M. G. Milvidskii, E. V. Popova, A. A. Shlenskii, T. G. Yugova

Журнал:

Scanning

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 374 KB

english, 1993

Extended defects in Si wafers implanted with ions of rare-earth elements

V.I. Vdovin, T.G. Yugova, N.A. Sobolev, E.I. Shek, M.I. Makovijchuk, E.O. Parshin

Журнал:

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 197 KB

english, 1999

Determination of the types and densities of dislocations in GaN epitaxial layers of different thicknesses by optical and atomic force microscopy

K. S. Kravchuk, M. V. Mezhennyi, T. G. Yugova

Журнал:

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.58 MB

english, 2012

Coherent spin dynamics of electrons and holes in semiconductor quantum wells and quantum dots under periodical optical excitation: Resonant spin amplification versus spin mode locking

Yugova, I. A., Glazov, M. M., Yakovlev, D. R., Sokolova, A. A., Bayer, M.

Журнал:

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.29 MB

english, 2012

Hole spin precession in a (In,Ga)As quantum dot ensemble: From resonant spin amplification to spin mode locking

Varwig, S., Schwan, A., Barmscheid, D., Müller, C., Greilich, A., Yugova, I. A., Yakovlev, D. R., Reuter, D., Wieck, A. D., Bayer, M.

Журнал:

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 649 KB

english, 2012

quantum wells

Yugova, I. A., Greilich, A., Yakovlev, D. R., Kiselev, A. A., Bayer, M., Petrov, V. V., Dolgikh, Yu. K., Reuter, D., Wieck, A. D.

Журнал:

Yugova, I. A., Glazov, M. M., Ivchenko, E. L., Efros, Al. L.

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 237 KB

english, 2007

Pump-probe Faraday rotation and ellipticity in an ensemble of singly charged quantum dots

Журнал:

Mezhennyi, M V, Mil vidskii, M G, Yugova, T G

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.09 MB

english, 2009

High-temperature microhardness of SiGe epitaxial layers grown on Ge and Si substrates

Журнал:

Journal of Physics Condensed Matter

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 162 KB

english, 2002

Nonpolar GaN grown on Si by hydride vapor phase epitaxy using anodized Al nanomask

Polyakov, A. Y., Markov, A. V., Mezhennyi, M. V., Govorkov, A. V., Pavlov, V. F., Smirnov, N. B., Donskov, A. A., D’yakonov, L. I., Kozlova, Y. P., Malakhov, S. S., Yugova, T. G., Osinsky, V. I., Goro

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 405 KB

english, 2009

Hydride vapor phase GaN films with reduced density of residual electrons and deep traps

Polyakov, A. Y., Smirnov, N. B., Govorkov, A. V., Yugova, T. G., Cox, H., Usikov, A. S., Helava, H., Makarov, Yu.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.03 MB

english, 2014

[IEEE 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 - Alpbach, Austria (17-22 Sept. 2000)] 2000 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings. Ion Implantation Technology - 2000 (Cat. No.00EX432) - Ion beam induced strain relaxation in pseudomorphous epitaxial SiGe layers

Vyarkin, A.F., Avrutin, V.S., Izyumskaya, N.F., Egorov, V.K., Starkov, V.V., Zinenko, V.I., Smirnova, I.A., Hemment, P.L.F., Nejim, A., Vdovin, V.I., Yugova, T.G.

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 349 KB

english, 2000

Access to long-term optical memories using photon echoes retrieved from semiconductor spins

Langer, L., Poltavtsev, S. V., Yugova, I. A., Salewski, M., Yakovlev, D. R., Karczewski, G., Wojtowicz, T., Akimov, I. A., Bayer, M.

Журнал:

Nature Photonics

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.49 MB

english, 2014

Effect of pump-probe detuning on the Faraday rotation and ellipticity signals of mode-locked spins in (In,Ga)As/GaAs quantum dots

Glazov, M. M., Yugova, I. A., Spatzek, S., Schwan, A., Varwig, S., Yakovlev, D. R., Reuter, D., Wieck, A. D., Bayer, M.

Журнал: